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数量:52 |
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规格书 |
KSH44H11 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 70 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 8A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 4A, 1V |
功率 - 最大 | 1.75W |
频率转换 | 50MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
包装 | 3IPAK |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 80 V |
集电极最大直流电流 | 8 A |
最小直流电流增益 | 60@2A@1V|40@4A@1V |
最大工作频率 | 50(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@8A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1750 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 8 |
最低工作温度 | -65 |
Maximum Transition Frequency | 50(Typ) |
包装宽度 | 2.3 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1750 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极发射极电压 | 80 |
供应商封装形式 | IPAK |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.6 |
包装高度 | 6.1 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 8A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 50MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
电流 - 集电极截止(最大) | 10µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 80V |
供应商设备封装 | I-Pak |
功率 - 最大 | 1.75W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 4A, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 70 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
零件号别名 | KSH44H11ITU_NL |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
单位重量 | 0.012102 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
连续集电极电流 | 8 A |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
系列 | KSH44H11I |
最低工作温度 | - 65 C |
宽度 | 2.3 mm |
长度 | 6.6 mm |
身高 | 6.1 mm |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
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